不同鈍化結(jié)構(gòu)的HgCdTe光伏探測器暗電流機制
| 論文類型 | 基礎(chǔ)研究 | 發(fā)表日期 | 2004-12-01 |
| 來源 | 半導體學報 | ||
| 作者 | 孫濤,陳文橋,梁晉穗,陳興國,胡曉寧,李言謹 | ||
| 關(guān)鍵詞 | HgCdTe 光伏探測器 鈍化 倒易點陣 暗電流 | ||
| 摘要 | 在同一HgCdTe晶片上制備了單層ZnS鈍化和雙層(CdTe+ZnS)鈍化的兩種光伏探測器，對器件的性能進行了測試，發(fā)現(xiàn)雙層鈍化的器件具有較好的性能．通過理論計算，分析了器件的暗電流機制，發(fā)現(xiàn)單層鈍化具有較高的表面隧道電流．通過高分辨x射線衍射中的倒易點陣技術(shù)研究了單雙層鈍化對HgCdTe外延層晶格完整性的影響，發(fā)現(xiàn)單層ZnS鈍化的HgCdTe外延層產(chǎn)生了大量缺陷，而這些缺陷正是單層鈍化器件具有較高表面隧道電流的原因． | ||
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